Усилия США по технологическому «отделению» от Китая в рамках стратегии «сдерживания КНР» запустили процесс фрагментации мировой цепочки поставок при производстве интегральных микросхем (ИМ), что привело к ужесточению конкуренции и огромным убыткам производителей. И эта тенденция будет укрепляться.
США не ограничиваются разрывом цепочек поставок между американскими и китайскими производителями, но принуждают к технологическому «отделению» от Китая и своих союзников – Японию, Южную Корею, остров Тайвань, занимающие важные позиции в мировом производстве полупроводников.
В мае крупнейшие мировые производители чипов выпустили данные по доходам за первый квартал 2023 г., которые показали их растущие убытки. Samsung сообщила о снижении операционной прибыли на 95% в годовом исчислении. Это худшие квартальные показатели компании с 2009 года, когда был пик мирового финансового кризиса. Intel понесла чистый убыток в размере 2,8 млрд. долл. в первом квартале по сравнению с первым кварталом прошлого года. Это крупнейший квартальный убыток Intel за всю историю.
Крупнейшие производители готовятся вложить десятки миллиардов долларов в свою полупроводниковую промышленность, обеспокоенные угрозой оказаться на обочине научно-технического прогресса и попасть в ещё большую зависимость, на этот раз от США.
Перестройка американцами мирового рынка ИМ предпринимается по двум направлениям: ограничения на экспорт в КНР из США и из стран-партнёров передовой полупроводниковой продукции и оборудования; строительство в США крупных заводов по производству ИМ по передовым технологическим нормам.
К первому случаю относятся недавние попытки США запретить Нидерландам поставлять в КНР оборудование и технологии не только последнего, но и предыдущего поколения. Министр торговли Нидерландов Лизье Шрайнемахер сообщила об этом, подкрепив ссылкой на апрельский ежегодный отчёт Службы общей разведки и безопасности. В отчёте содержится предупреждение: якобы Китай пытается украсть передовые технологии у местной компании ASML – одного из двух в мире производителей литографического оборудования последнего поколения, а компания пытается обойти ограничения, чтобы расширить сотрудничество с Китаем.
Во втором случае США с помощью принятого в июле 2022 г. специального закона ввели систему мощных стимулов для предприятий, производящих полупроводники: субсидии в размере 52 млрд. долл. и налоговые льготы. В итоге США добились от тайваньской TSMC согласия построить в штате Аризона завод по производству ИМ по передовому на сегодня 5-нанометровому (нм) технологическому процессу. После выхода завода на проектную мощность в 2024 году компания планирует производить порядка 20 тыс. 5-нанометровых ИМ в месяц. Это относительно немного, но такой завод в США строится не один. А в 2026 году TSMC предполагает начать в США производство ИМ по перспективному 3-нанометровому технологическому процессу.
Действия США произвели «эффект домино». Евросоюз в конце 2022 г. утвердил план поддержки собственной цепочки поставок для производства ИМ, который предполагает капиталовложения в размере 45 млрд. евро (46,6 млрд. долл. США). Целью является увеличить долю ЕС в мировом производстве ИМ с нынешних 10% до 20% к 2030 году. При этом и в США, и в ЕС государство играет главенствующую роль в развитии микроэлектронной отрасли.
В конце марта 2023 г. Южная Корея приняла законопроект о поддержке национальной полупроводниковой промышленности путём предоставления компаниям налоговых льгот. Аналогичные планы есть у Японии.
Хотя запреты Вашингтона на использование ИМ создали трудности для развития китайских компаний в секторе искусственного интеллекта, они не подорвали их конкурентоспособность на мировом рынке. В Китае идут успешные опыты, позволяющие достичь самых современных характеристик искусственного интеллекта с полупроводниками меньшей мощности или с их меньшим количеством.
Общее мнение китайских экспертов сводится к тому, что углубляющиеся трещины в глобальной промышленной цепочке несут для КНР не только риски, но и новые возможности.
На фоне этих процессов Россия критически нуждается в прорыве в полупроводниковой отрасли. Технологическая независимость в разработке и производстве основных видов ИМ в наступившую эпоху равняется, без преувеличения, государственному суверенитету. Специалисты считают, что необходимо радикально ускорить идущие сейчас и достаточно результативные НИОКР в Институте физики микроструктур (ИФМ) РАН по созданию отечественного станка для печатания ИМ на основе технологии безмасочной рентгеновской литографии (БМРЛ), альтернативной той, что применяется в компании ASML.
По мнению главного научного сотрудника ИФМ Н.Н. Салащенко, «производство таких установок может стать основой для восстановления в России современного оптико-электронного машиностроения», и «хорошей школой для развития всего спектра наукоёмкого машиностроения». Салащенко уверен, что на основе данной технологии можно создать фотолитографическую установку в десять раз дешевле существующих, что позволит сделать доступным производство наноэлектроники с предельными проектными нормами (менее 10 нм) для более мелких компаний. Это было бы лучшим решением в российских условиях, и «это будет реальный продукт, с которым можно будет выйти на рынок не только в нашей стране».
Здесь могут открываться новые возможности для российско-китайского взаимовыгодного сотрудничества на мировом рынке полупроводников, которые раз и навсегда уничтожили бы монополию коллективного Запада в этой фундаментальной области науки и техники.
