Эта матрица является ключевым компонентом системы накачки High-Repetition-Rate Advanced Petawatt Laser System (HAPLS), разработка которой ведется в лаборатории LLNL и которая будет установлена на будущем самом мощном лазере в мире Extreme Light Infrastructure (ELI), сооружение которого ведется в настоящее время в Чешской Республике.
Система HAPLS способна вырабатывать импульсы света, длительностью 30 фемтосекунд, мощностью более одного петаватта и повторяющиеся с частотой в 10 Гц (10 раз в секунду). Такая высокая частота следования импульсов является ключевым моментом для любой современной высокоэнергетической лазерной системы, которые раньше накачивались при помощи множества мощных импульсных ламп, которые, в свою очередь, могут срабатывать не чаще одного раза в секунду. Диодные матрицы HAPLS могут срабатывать 10 раз в секунду, накачивая килоджоулями своих импульсов основной усилитель мощности лазера ELI, который начнет вырабатывать первые импульсы в 2017 году.
"Европейская система Extreme Light Infrastructure, в создании которой задействованы участники со всего мира, станет вместилищем всех самых ультрасовременных лазерных технологий, которое обеспечит международные группы ученых возможностью проведения фундаментальных физических и практических исследований" - рассказывает Константин Хафнер (Constantin Haefner), директор программы HAPLS, - "Лаборатория LLNL, признанный мировой лидер в области высокоэффективных лазерных систем средней и большой мощности, является одним из наших основных партнеров, создающих вместе с нами петаваттные лазерные системы нового поколения".
Как уже упоминалось выше, большинство современных мощных лазеров использует для накачки гигантские импульсные лампы. Вспышки яркого белого света этих ламп возбуждают и переводят в высокое энергетическое состояние атомы материала, специального лазерного стекла, из которого изготовлены большие стержни и плиты. Относительно низкая эффективность этих ламп является причиной, по которой достаточно большая часть энергии превращается в тепло и лампам требуется некоторое время на охлаждение. Технология лазерных диодов, эффективность которых почти вплотную приближается к 100 процентам, позволяет решить проблему лишнего тепла и увеличить на порядок частоту следования импульсов.
"Технология импульсных ламп использовалась для накачки лазеров более 50 лет и за это время мы полностью исчерпали все возможности этой технологии" - рассказывает Энди Бэрэмиэн (Andy Bayramian), один из "архитекторов" системы HAPLS, - "Сейчас нам пришлось полностью отказаться от импульсных ламп и обратить свое внимание в сторону матриц полупроводниковых лазерных диодов, которые позволят нам создавать совершенно новые классы высокоэнергетических лазерных систем".
Для того, чтобы сделать матрицу HAPLS реальностью руководство лаборатории LLNL привлекло специалистов компании Lasertel Inc., которые совместив передовые технологии полупроводниковых лазеров с новой микрооптикой, разработали конструкции надежных и достаточно простых мегаваттных модулей. Кроме этого, для снабжения всего лазерного "хозяйства" энергией, специалисты LLNL разработали и изготовили импульсные источники питания нового типа, которые без перепадов в потреблении постоянно тянут энергию из сети и, накопив достаточно энергии, выдают импульсы тока огромной силы, имеющие строго заданную форму, длительность и другие параметры. Каждый такой источник питания способен выдать импульс тока, силой до 40 тысяч ампер и эта технология была запатентована лабораторией LLNL.
"Объединение лазерной технологии компании Lasertel Inc. с нашими технологиями импульсного питания позволяют создать компактные и эффективные лазерные системы средней и высокой мощности, способные вырабатывать импульсы с недостижимой до этого частотой" - рассказывает Константин Хафнер, - "В результате нашей работы мы создали надежную, высокоэффективную и достаточно простую систему оптической накачки, которую можно масштабировать до любого уровня, подстраивая ее под нужды каждой конкретной лазерной системы".
